理想结构必须满足的条件有（）A金属与半导体的功函数差为零B绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电C绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态D半导体必须为本征半导体E绝缘层材料为二氧化硅